真空腔体
真空腔体是内部为真空状态的容器,很多先进的技术工艺均需要在真空或惰性气体保护条件下完成,真空腔体是这些工艺过程中重要的基础设备.
根据真空度国标真空被分为低真空（100000-100Pa）,中真空（100-0.1Pa）,高真空（0.1-10-5Pa）,超高真空（10-5-10Pa）。半导体真空腔体的应用中国半导体真空腔体市场近几年快速发展,越来越多的公司也表达了进入芯片领域的兴趣。低真空主要应用于隔热及绝缘、金属熔炼脱气、无氧化加热、真空冷冻及干燥和低压风洞等;高真空主要应用于真空冶金、真空镀膜设备等领域;超高真空则偏向物理实验方向。
一般真空腔体内部是规则的长方体,用一面加热进行热辐射的方式热传导不能合理涵盖整个腔体的内部空间,所以效果不是很理想,.经过试验论证,采取在真空腔体内正上方、正下方、左侧面、右侧面各安装一套加热板加热的方法,采用面对面热辐射方式对腔体内部进行加热.
由于设备在真空状态下采用了上,下,左,右四面四路加热的方法,比单纯一路加热就要复杂多了,这也是温度控制的难点.因此采用PID来进行温度控制调节,控温热偶设置在腔体内部,这样可以更好地控制真空腔体内的温度.
真空腔体是建立在低于大气压力的环境下,以及在此环境中进行工艺制作、科学试验和物理测量等所需要的技术.
用现代抽气方法获得的很低压力,每立方厘米的空间里仍然会有数百个分子存在.
气体稀薄程度是对真空的一种客观量度 ,直接的物理量度是单位体积中的气体分子数.气体分子密度越小,气体压力越低,真空就越高.真空常用帕斯卡或托尔做为压力的单位.
影响真空绝缘水平的主要因素
空隙间隔
真空的击穿电压与空隙间隔有着比较清晰的关系。试验标明，当空隙间隔较小时，击穿电压跟着空隙间隔的添加而线性添加，但跟着空隙间隔的进一步添加，击穿电压的添加减缓，即真空空隙发作击穿的电场强度跟着空隙间隔的添加而减小。当空隙到达一定的长度后，单靠添加空隙间隔进步耐压水平已经好不容易，这时选用多断口反而比单断口有利。真空的应用范围极广,主要分为低真空、中真空、高真空和超高真空应用。
一般以为短空隙下的穿主要是场致发射引起的，而长空隙下的的穿则主要是微粒效应所致。
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